Aixtron- und die Banken stufen fröhlich auf kaufen
18.08.09 15:23
#1
Katjuscha
Aixtron- und die Banken stufen fröhlich auf kaufen
Ist ja langsam krank, was da abläuft.
Okay, Aixtron profitiert stark vom durchschrittenen Tief bei LED-Nachfrage. Gut, ich hab es begriffen.
Aber
KUV09 von 4,0
KBV09 von 5,5
KGV09 von 50
Würde mich mal interessieren, welche Wachstumsraten die Banken für 2010 und 2011 unterstellen.
Okay, Aixtron profitiert stark vom durchschrittenen Tief bei LED-Nachfrage. Gut, ich hab es begriffen.
Aber
KUV09 von 4,0
KBV09 von 5,5
KGV09 von 50
Würde mich mal interessieren, welche Wachstumsraten die Banken für 2010 und 2011 unterstellen.
53630 Postings ausgeblendet.
27.07.23 12:30
#53637
nuuj
Hier würde man sagen
Saukäs, ein geflügeltes Wort. Ist hier in AC sowas wie Boah oder Mega. Die Wafermaschine (Galliumnitrid)für Hochleistungschips wird den Kurs noch höher bringen. Hatte bisher immer geschrieben 35 halte ich für realistisch. Erhöhe meine persönl. Prognose auf 40.
Interessanter Artikel bei https://publications.rwth-aachen.de/record/726711/files/726711.pdf
Interessanter Artikel bei https://publications.rwth-aachen.de/record/726711/files/726711.pdf
28.07.23 09:47
#53638
Juliette
Jefferies
"...Das Analysehaus Jefferies hat das Kursziel für Aixtron von 45 auf 52 Euro angehoben und die Einstufung auf "Buy" belassen. Der starke Auftragseingang verspreche auch für 2024 dynamisches Wachstum beim Halbleiterzulieferer, schrieb Analystin Olivia Honychurch in einer am Freitag vorliegenden Reaktion auf die Prognoseerhöhung. Sie hob ihre Umsatzschätzungen bis 2026 um bis zu 10 Prozent und geht auch von einer höheren Profitabilität aus als bisher....":
https://www.finanzen.net/analyse/...fferies_&_company_inc._899081
https://www.finanzen.net/analyse/...fferies_&_company_inc._899081
28.07.23 10:11
#53639
Highländer49
Aixtron
Aixtron legt starke Zahlen vor, was ist jetzt noch drin?
https://www.finanznachrichten.de/...n-was-jetzt-noch-drin-ist-486.htm
https://www.finanznachrichten.de/...n-was-jetzt-noch-drin-ist-486.htm
29.07.23 09:46
#53641
gpphjs
Das GAP ist ein ...
Breakaway-Gap (https://www.bullchart.de/ta/gap/index.php). Nicht alle MÜSSEN geschlossen werden. Außerdem müsste dann AIXTRON unter 32 € fallen, also wieder in die Trading Range. Das wird sehr spannend. Gewinnmitnahmen werden kommen, aber so weit? Wobei das Running Gap vom 29.06.23 (#53604) ja auch geschlossen wurde.
29.07.23 16:27
#53642
gpphjs
GAP
Wird das Breakaway-Gap nicht innerhalb des Handelstages oder innerhalb der nächsten Handelstage wieder geschlossen, so ist dies ein sehr starkes Indiz für eine weitere Bewegung in Richtung des Ausbruchtrends.
Quelle: https://broker-test.de/finanzwissen/.../gap-kursluecke-breakaway-gap/
Quelle: https://broker-test.de/finanzwissen/.../gap-kursluecke-breakaway-gap/
30.08.23 09:42
#53650
Purdie
IR Info Herr Pickert
Launch der neuen G10 GaN nächste Woche.
Guten Tag Herr xxx,
ja, die Anlage wird nächste Woche auf einer Fachveranstaltung der Öffentlichkeit vorgestellt.
Im Bereich GaN verfügen wir über einen sehr hohen Marktanteil der auf kommerzieller Basis jenseits der 90% liegen sollte. Demnach können Sie davon ausgehen, dass alle kommerziell tätigen Kunden über unser Anlagentechnologien verfügen. Dazu gehören neben vielen anderen beispielsweise tsmc, Innoscience, ST Micro oder Infineon.
Von der Entwicklung im Bereich der KI, welche mit einem Aufbau enormer Rechenkapazitäten einhergeht profitieren wir indirekt über unsere Technologien zur energieeffizienten Stromversorgung von Servern und Rechenzentren. Aber auch der Trend hin zur optischen Datenübertragung zum Ersatz langsamerer und energieintensiverer Datenübertragung über Kupferkabel spielt uns in die Karten, da dazu Laser verwendet werden, die auf unseren Anlagen hergestellt werden.
Diese und weitere Trends wie Elektromobilität oder Regenerative Energien werden heute und in der Zukunft für eine starke Nachfrage nach unseren Technologien sorgen.
Freundliche Grüße,
Guido Pickert
Guten Tag Herr xxx,
ja, die Anlage wird nächste Woche auf einer Fachveranstaltung der Öffentlichkeit vorgestellt.
Im Bereich GaN verfügen wir über einen sehr hohen Marktanteil der auf kommerzieller Basis jenseits der 90% liegen sollte. Demnach können Sie davon ausgehen, dass alle kommerziell tätigen Kunden über unser Anlagentechnologien verfügen. Dazu gehören neben vielen anderen beispielsweise tsmc, Innoscience, ST Micro oder Infineon.
Von der Entwicklung im Bereich der KI, welche mit einem Aufbau enormer Rechenkapazitäten einhergeht profitieren wir indirekt über unsere Technologien zur energieeffizienten Stromversorgung von Servern und Rechenzentren. Aber auch der Trend hin zur optischen Datenübertragung zum Ersatz langsamerer und energieintensiverer Datenübertragung über Kupferkabel spielt uns in die Karten, da dazu Laser verwendet werden, die auf unseren Anlagen hergestellt werden.
Diese und weitere Trends wie Elektromobilität oder Regenerative Energien werden heute und in der Zukunft für eine starke Nachfrage nach unseren Technologien sorgen.
Freundliche Grüße,
Guido Pickert
06.09.23 15:44
#53651
Purdie
Die neue G10-GaN
AIXTRON präsentiert neue G10-GaN für die Leistungselektronik
Die Anlage bietet die beste Performance ihrer Klasse und ein kompaktes Cluster für die Großserienfertigung von GaN-basierten Leistungs- und HF-Bauelementen.
Herzogenrath, 06. September 2023 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) bringt eine neue Cluster-Lösung für die Herstellung von Leistungs- und Hochfrequenz (HF)-Bauelementen auf Basis von Galliumnitrid (GaN) auf den Markt. Die G10-GaN und ihre innovativen Features stellt der führende Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie gerade auf der SEMICON Taiwan (6.-8. September 2023) in Taipeh vor. Die neue Plattform bietet die beste Performance ihrer Klasse, ein völlig neues kompaktes Design und insgesamt niedrigste Kosten pro Wafer.
„Wir sind stolz darauf, dass unsere neue G10-GaN-Plattform bereits von einem führenden US-Produzenten für die Serienproduktion von GaN basierter Leistungselektronik qualifiziert wurde. Diese neue Anlagengeneration bietet gegenüber unserer früheren, bereits sehr guten Lösung – im Verhältnis zur Fläche im Reinraum – eine doppelte Produktivität. Dabei ermöglicht sie gleichzeitig ein neues Maß an Uniformität, was unseren Kunden große Wettbewerbsvorteile verschafft", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE und erklärt die Bedeutung von GaN-basierten Technologien: "Wir leben in sehr aufregenden Zeiten, denn GaN Power-Bauelemente spielen eine wichtige Rolle, die weltweiten CO2-Emissionen wesentlich zu reduzieren. Sie bieten eine deutlich effizientere Leistungsumwandlung als herkömmliche Silizium (Si)-Bauelemente. Damit verringern sie die Verluste um den Faktor zwei bis drei. Wir gehen davon aus, dass dieser Markt bis zum Ende des Jahrzehnts und darüber hinaus um den Faktor von bis zu zehn wachsen wird. Bereits heute hat GaN bei Schnelllade-Netzteilen für Mobilgeräte klassisches Silizium ersetzt, und wir sehen eine steigende Nachfrage für Anwendungen in weltweiten Rechenzentren oder bei Solaranlagen.“
AIXTRON leistet seit mehr als 20 Jahren Pionierarbeit bei GaN auf Si Prozessen und bei der Entwicklung der entsprechenden Hardware. Der bisherige AIX G5+ C-Planetenreaktor war Dank In-Situ-Reinigung und Kassette-zu-Kassette-Automatisierung die erste vollautomatische GaN-MOCVD-Anlage ihrer Art und hat sich schnell zur Referenzanlage der GaN-Industrie entwickelt. Die neue G10-GaN Cluster Lösung baut auf diesem Marktführer auf und hebt dabei jede einzelne Leistungskennzahl auf die nächste Stufe.
Die Plattform verfügt über ein neues kompaktes Layout, um die Reinraumfläche bestmöglich ausnutzen zu können. Neuartige Reaktorkomponenten verbessern die Materialhomogenität um den Faktor zwei, was eine optimale Ausbeute ermöglicht. Die On-Board-Sensoren werden durch eine neue Software-Suite und Fingerprint-Lösungen ergänzt, um sicherzustellen, dass das System zwischen den Wartungsarbeiten an allen Prozessmodulen stets die gleiche Leistung erbringt. Das wiederum verlängert die verfügbare Betriebszeit im Vergleich zur vorherigen Generation um mehr als 5 Prozent.
Das Cluster kann mit bis zu drei Prozessmodulen ausgestattet werden: Dank Planeten-Batch-Reaktor-Technologie kommt die G10-GaN damit auf eine Rekordkapazität von 15x200mm Wafern, was eine Kostenreduzierung von 25 Prozent pro Wafer im Vergleich zu früheren Produkten ermöglicht.
https://www.aixtron.com/de/presse/...ie%2520Leistungselektronik_n2710
Die Anlage bietet die beste Performance ihrer Klasse und ein kompaktes Cluster für die Großserienfertigung von GaN-basierten Leistungs- und HF-Bauelementen.
Herzogenrath, 06. September 2023 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) bringt eine neue Cluster-Lösung für die Herstellung von Leistungs- und Hochfrequenz (HF)-Bauelementen auf Basis von Galliumnitrid (GaN) auf den Markt. Die G10-GaN und ihre innovativen Features stellt der führende Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie gerade auf der SEMICON Taiwan (6.-8. September 2023) in Taipeh vor. Die neue Plattform bietet die beste Performance ihrer Klasse, ein völlig neues kompaktes Design und insgesamt niedrigste Kosten pro Wafer.
„Wir sind stolz darauf, dass unsere neue G10-GaN-Plattform bereits von einem führenden US-Produzenten für die Serienproduktion von GaN basierter Leistungselektronik qualifiziert wurde. Diese neue Anlagengeneration bietet gegenüber unserer früheren, bereits sehr guten Lösung – im Verhältnis zur Fläche im Reinraum – eine doppelte Produktivität. Dabei ermöglicht sie gleichzeitig ein neues Maß an Uniformität, was unseren Kunden große Wettbewerbsvorteile verschafft", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE und erklärt die Bedeutung von GaN-basierten Technologien: "Wir leben in sehr aufregenden Zeiten, denn GaN Power-Bauelemente spielen eine wichtige Rolle, die weltweiten CO2-Emissionen wesentlich zu reduzieren. Sie bieten eine deutlich effizientere Leistungsumwandlung als herkömmliche Silizium (Si)-Bauelemente. Damit verringern sie die Verluste um den Faktor zwei bis drei. Wir gehen davon aus, dass dieser Markt bis zum Ende des Jahrzehnts und darüber hinaus um den Faktor von bis zu zehn wachsen wird. Bereits heute hat GaN bei Schnelllade-Netzteilen für Mobilgeräte klassisches Silizium ersetzt, und wir sehen eine steigende Nachfrage für Anwendungen in weltweiten Rechenzentren oder bei Solaranlagen.“
AIXTRON leistet seit mehr als 20 Jahren Pionierarbeit bei GaN auf Si Prozessen und bei der Entwicklung der entsprechenden Hardware. Der bisherige AIX G5+ C-Planetenreaktor war Dank In-Situ-Reinigung und Kassette-zu-Kassette-Automatisierung die erste vollautomatische GaN-MOCVD-Anlage ihrer Art und hat sich schnell zur Referenzanlage der GaN-Industrie entwickelt. Die neue G10-GaN Cluster Lösung baut auf diesem Marktführer auf und hebt dabei jede einzelne Leistungskennzahl auf die nächste Stufe.
Die Plattform verfügt über ein neues kompaktes Layout, um die Reinraumfläche bestmöglich ausnutzen zu können. Neuartige Reaktorkomponenten verbessern die Materialhomogenität um den Faktor zwei, was eine optimale Ausbeute ermöglicht. Die On-Board-Sensoren werden durch eine neue Software-Suite und Fingerprint-Lösungen ergänzt, um sicherzustellen, dass das System zwischen den Wartungsarbeiten an allen Prozessmodulen stets die gleiche Leistung erbringt. Das wiederum verlängert die verfügbare Betriebszeit im Vergleich zur vorherigen Generation um mehr als 5 Prozent.
Das Cluster kann mit bis zu drei Prozessmodulen ausgestattet werden: Dank Planeten-Batch-Reaktor-Technologie kommt die G10-GaN damit auf eine Rekordkapazität von 15x200mm Wafern, was eine Kostenreduzierung von 25 Prozent pro Wafer im Vergleich zu früheren Produkten ermöglicht.
https://www.aixtron.com/de/presse/...ie%2520Leistungselektronik_n2710